Вариант 10
Задание 1.
1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда.
2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К.
Задание 2.
Текст задания
1. Провести расчет φk, Is, rб диодов на основе германия и кремния.
2. Рассчитать и построить ВАХ диодов при 300 К с учетом сопротивления базы.
Прикрепленные файлы: |
|
|---|---|
|
Администрация сайта не рекомендует использовать бесплатные работы для сдачи преподавателю. Эти работы могут не пройти проверку на уникальность. Узнайте стоимость уникальной работы, заполните форму ниже: Узнать стоимость |
|
Скачать файлы:
|
Скриншоты работы: |
|
|---|---|
|
|
|
