Задание No1 1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда. 2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К. Задание No 3 1. Провести расчет основных параметров транзистора: ? N , ? I , I Э0 , I К0 . 2. Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при I Э = 0; 2 мА; 10 мА.
Прикрепленные файлы: |
|
|---|---|
|
Администрация сайта не рекомендует использовать бесплатные работы для сдачи преподавателю. Эти работы могут не пройти проверку на уникальность. Узнайте стоимость уникальной работы, заполните форму ниже: Узнать стоимость |
|
Скачать файлы:
|
Скриншоты работы: |
|
|---|---|
|
|
|
